TPD80R750C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPD80R750C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для TPD80R750C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPD80R750C даташит

 ..1. Size:753K  cn wuxi unigroup
 tpa80r750c tpb80r750c tpc80r750c tpd80r750c tpp80r750c tpu80r750c.pdf pdf_icon

TPD80R750C

TPA80R750C, TPB80R750C, TPC80R750C, TPD80R750C, TPP80R750C, TPU80R750C Wuxi Unigroup Microelectronics Company 800V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on) Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package

 8.1. Size:771K  cn wuxi unigroup
 tpd80r900m tpu80r900m.pdf pdf_icon

TPD80R750C

TPD80R900M,TPU80R900M Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 800V Super-junction Power MOSFET Description 800V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses device with highest ro

Другие IGBT... TPW80R250A, TPA80R300C, TPB80R300C, TPP80R300C, TPW80R300C, TPA80R750C, TPB80R750C, TPC80R750C, AO4407A, TPP80R750C, TPU80R750C, TPB65R075DFD, TPP65R075DFD, TPW65R075DFD, TPB65R120M, TPP65R120M, TPR65R120M