TPU80R750C Todos los transistores

 

TPU80R750C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPU80R750C
   Código: 80R750C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 26.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

TPU80R750C Datasheet (PDF)

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TPU80R750C

TPA80R750C, TPB80R750C, TPC80R750C, TPD80R750C, TPP80R750C, TPU80R750C Wuxi Unigroup Microelectronics Company 800V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package

 8.1. Size:771K  cn wuxi unigroup
 tpd80r900m tpu80r900m.pdf pdf_icon

TPU80R750C

TPD80R900M,TPU80R900MWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd800V Super-junction Power MOSFETDescription800V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses device with highest ro

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History: NCE65T1K2 | NCEP070N10GU | FDB6690S | WMQ46N03T1 | STW24N60M2 | RUH1H130S | AP60N2R5IN

 

 
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