TPU80R750C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TPU80R750C
Маркировка: 80R750C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 78 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 26.5 nC
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 52 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.75 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для TPU80R750C
TPU80R750C Datasheet (PDF)
tpa80r750c tpb80r750c tpc80r750c tpd80r750c tpp80r750c tpu80r750c.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
TPA80R750C, TPB80R750C, TPC80R750C, TPD80R750C, TPP80R750C, TPU80R750C Wuxi Unigroup Microelectronics Company 800V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package
tpd80r900m tpu80r900m.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
TPD80R900M,TPU80R900MWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd800V Super-junction Power MOSFETDescription800V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses device with highest ro
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .