Справочник MOSFET. TPU80R750C

 

TPU80R750C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPU80R750C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для TPU80R750C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPU80R750C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:753K  cn wuxi unigroup
 tpa80r750c tpb80r750c tpc80r750c tpd80r750c tpp80r750c tpu80r750c.pdf pdf_icon

TPU80R750C

TPA80R750C, TPB80R750C, TPC80R750C, TPD80R750C, TPP80R750C, TPU80R750C Wuxi Unigroup Microelectronics Company 800V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package

 8.1. Size:771K  cn wuxi unigroup
 tpd80r900m tpu80r900m.pdf pdf_icon

TPU80R750C

TPD80R900M,TPU80R900MWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd800V Super-junction Power MOSFETDescription800V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses device with highest ro

Другие MOSFET... TPB80R300C , TPP80R300C , TPW80R300C , TPA80R750C , TPB80R750C , TPC80R750C , TPD80R750C , TPP80R750C , 5N50 , TPB65R075DFD , TPP65R075DFD , TPW65R075DFD , TPB65R120M , TPP65R120M , TPR65R120M , TPW65R120M , TPB65R135MFD .

History: AOI600A60 | CJP10N65 | 5N65G-TN3-R | FDMA86108LZ

 

 
Back to Top

 


 
.