TPD80R900M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPD80R900M
Código: 80R900M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 63 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 13 nC
Tiempo de subida (tr): 11 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 16 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TPD80R900M
TPD80R900M Datasheet (PDF)
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TPD80R900M,TPU80R900MWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd800V Super-junction Power MOSFETDescription800V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses device with highest ro
tpa80r750c tpb80r750c tpc80r750c tpd80r750c tpp80r750c tpu80r750c.pdf
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TPA80R750C, TPB80R750C, TPC80R750C, TPD80R750C, TPP80R750C, TPU80R750C Wuxi Unigroup Microelectronics Company 800V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package
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History: OSG65R580DTF