Справочник MOSFET. TPD80R900M

 

TPD80R900M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPD80R900M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPD80R900M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:771K  cn wuxi unigroup
 tpd80r900m tpu80r900m.pdf pdf_icon

TPD80R900M

TPD80R900M,TPU80R900MWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd800V Super-junction Power MOSFETDescription800V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses device with highest ro

 8.1. Size:753K  cn wuxi unigroup
 tpa80r750c tpb80r750c tpc80r750c tpd80r750c tpp80r750c tpu80r750c.pdf pdf_icon

TPD80R900M

TPA80R750C, TPB80R750C, TPC80R750C, TPD80R750C, TPP80R750C, TPU80R750C Wuxi Unigroup Microelectronics Company 800V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package

Другие MOSFET... TPD70R950M , TPD50R3K8D , TPD60R1K4M , TPU60R1K4M , TPD60R1K5MFD , TPD60R330M , TPD65R700MFD , TPD70R1K5M , AON6414A , TPU80R900M , TPG60R070DFDH , TPG65R125MH , TPG65R360M , TPG70R600M , TPP50R250C , TPA50R250C , TPU50R250C .

History: IXTH260N055T2 | HM80N70 | STB8NM60

 

 
Back to Top

 


 
.