TPG60R070DFDH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TPG60R070DFDH
   Código: 60R070DFDH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 312 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 45 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 81 nC
   Tiempo de subida (tr): 80 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 123 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN8X8

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TPG60R070DFDH Datasheet (PDF)

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TPG60R070DFDHWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd600V Super-junction Power MOSFETDescription600V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses device with highest robustne

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