TPG60R070DFDH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPG60R070DFDH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: DFN8X8

Аналог (замена) для TPG60R070DFDH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPG60R070DFDH даташит

 ..1. Size:562K  cn wuxi unigroup
 tpg60r070dfdh.pdf pdf_icon

TPG60R070DFDH

TPG60R070DFDH Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 600V Super-junction Power MOSFET Description 600V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses device with highest robustne

Другие IGBT... TPD60R1K4M, TPU60R1K4M, TPD60R1K5MFD, TPD60R330M, TPD65R700MFD, TPD70R1K5M, TPD80R900M, TPU80R900M, 10N60, TPG65R125MH, TPG65R360M, TPG70R600M, TPP50R250C, TPA50R250C, TPU50R250C, TPD50R250C, TPC50R250C