TPG60R070DFDH - аналоги и даташиты транзистора

 

TPG60R070DFDH - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TPG60R070DFDH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: DFN8X8
 

 Аналог (замена) для TPG60R070DFDH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPG60R070DFDH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:562K  cn wuxi unigroup
 tpg60r070dfdh.pdf pdf_icon

TPG60R070DFDH

TPG60R070DFDHWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd600V Super-junction Power MOSFETDescription600V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses device with highest robustne

Другие MOSFET... TPD60R1K4M , TPU60R1K4M , TPD60R1K5MFD , TPD60R330M , TPD65R700MFD , TPD70R1K5M , TPD80R900M , TPU80R900M , IRFB4227 , TPG65R125MH , TPG65R360M , TPG70R600M , TPP50R250C , TPA50R250C , TPU50R250C , TPD50R250C , TPC50R250C .

 

 
Back to Top

 


 
.