TPG65R125MH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPG65R125MH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 219 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm

Encapsulados: DFN8X8

 Búsqueda de reemplazo de TPG65R125MH MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TPG65R125MH datasheet

 ..1. Size:493K  cn wuxi unigroup
 tpg65r125mh.pdf pdf_icon

TPG65R125MH

TPG65R125MH Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 650V Super-junction Power MOSFET Description 650V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses device with highest robustn

 8.1. Size:562K  cn wuxi unigroup
 tpg65r360m.pdf pdf_icon

TPG65R125MH

TPG65R360M Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 650V Super-junction Power MOSFET Description 650V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses device with highest robustness ma

Otros transistores... TPU60R1K4M, TPD60R1K5MFD, TPD60R330M, TPD65R700MFD, TPD70R1K5M, TPD80R900M, TPU80R900M, TPG60R070DFDH, AON6414A, TPG65R360M, TPG70R600M, TPP50R250C, TPA50R250C, TPU50R250C, TPD50R250C, TPC50R250C, TPB50R250C