TPG65R125MH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPG65R125MH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 219 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: DFN8X8

Аналог (замена) для TPG65R125MH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPG65R125MH даташит

 ..1. Size:493K  cn wuxi unigroup
 tpg65r125mh.pdf pdf_icon

TPG65R125MH

TPG65R125MH Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 650V Super-junction Power MOSFET Description 650V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses device with highest robustn

 8.1. Size:562K  cn wuxi unigroup
 tpg65r360m.pdf pdf_icon

TPG65R125MH

TPG65R360M Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 650V Super-junction Power MOSFET Description 650V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses device with highest robustness ma

Другие IGBT... TPU60R1K4M, TPD60R1K5MFD, TPD60R330M, TPD65R700MFD, TPD70R1K5M, TPD80R900M, TPU80R900M, TPG60R070DFDH, AON6414A, TPG65R360M, TPG70R600M, TPP50R250C, TPA50R250C, TPU50R250C, TPD50R250C, TPC50R250C, TPB50R250C