TPG65R360M Todos los transistores

 

TPG65R360M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPG65R360M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 69.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

 Búsqueda de reemplazo de TPG65R360M MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TPG65R360M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:562K  cn wuxi unigroup
 tpg65r360m.pdf pdf_icon

TPG65R360M

TPG65R360MWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd650V Super-junction Power MOSFETDescription650V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses device with highest robustness ma

 8.1. Size:493K  cn wuxi unigroup
 tpg65r125mh.pdf pdf_icon

TPG65R360M

TPG65R125MH Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 650V Super-junction Power MOSFET Description 650V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses device with highest robustn

Otros transistores... TPD60R1K5MFD , TPD60R330M , TPD65R700MFD , TPD70R1K5M , TPD80R900M , TPU80R900M , TPG60R070DFDH , TPG65R125MH , IRFP250N , TPG70R600M , TPP50R250C , TPA50R250C , TPU50R250C , TPD50R250C , TPC50R250C , TPB50R250C , TPP50R400C .

History: NCE65N330R | PMN230ENEA | AOB414

 

 
Back to Top

 


 
.