TPG65R360M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPG65R360M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 69.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для TPG65R360M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPG65R360M даташит

 ..1. Size:562K  cn wuxi unigroup
 tpg65r360m.pdf pdf_icon

TPG65R360M

TPG65R360M Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 650V Super-junction Power MOSFET Description 650V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses device with highest robustness ma

 8.1. Size:493K  cn wuxi unigroup
 tpg65r125mh.pdf pdf_icon

TPG65R360M

TPG65R125MH Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 650V Super-junction Power MOSFET Description 650V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses device with highest robustn

Другие IGBT... TPD60R1K5MFD, TPD60R330M, TPD65R700MFD, TPD70R1K5M, TPD80R900M, TPU80R900M, TPG60R070DFDH, TPG65R125MH, IRFB4115, TPG70R600M, TPP50R250C, TPA50R250C, TPU50R250C, TPD50R250C, TPC50R250C, TPB50R250C, TPP50R400C