Справочник MOSFET. TPG65R360M

 

TPG65R360M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPG65R360M
   Маркировка: 65R360M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 69.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для TPG65R360M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPG65R360M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:562K  cn wuxi unigroup
 tpg65r360m.pdf pdf_icon

TPG65R360M

TPG65R360MWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd650V Super-junction Power MOSFETDescription650V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses device with highest robustness ma

 8.1. Size:493K  cn wuxi unigroup
 tpg65r125mh.pdf pdf_icon

TPG65R360M

TPG65R125MH Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 650V Super-junction Power MOSFET Description 650V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses device with highest robustn

Другие MOSFET... TPD60R1K5MFD , TPD60R330M , TPD65R700MFD , TPD70R1K5M , TPD80R900M , TPU80R900M , TPG60R070DFDH , TPG65R125MH , IRFP250N , TPG70R600M , TPP50R250C , TPA50R250C , TPU50R250C , TPD50R250C , TPC50R250C , TPB50R250C , TPP50R400C .

 

 
Back to Top

 


 
.