TPP90R350A Todos los transistores

 

TPP90R350A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPP90R350A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 240 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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TPP90R350A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:362K  cn wuxi unigroup
 tpp90r350a tpa90r350a.pdf pdf_icon

TPP90R350A

TPP90R350A, TPA90R350A Wuxi Unigroup Microelectronics Company 900V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on)Qg D 100% avalanche tested RoHS compliant G APPLICATIONS S Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marki

Otros transistores... TPA70R950C , TPU70R950C , TPD70R950C , TPC70R950C , TPB70R950C , TPP80R270M , TPV80R300C , TPC80R300C , STP65NF06 , TPA90R350A , TPR60R120MFD , TPW60R120MFD , TPV60R080CFD , TPW60R080CFD , TPV65R080C , TPW65R080C , TPW60R040MFD .

History: LSB55R050GT | FDU6688 | CJAC75SN10 | UPA1950 | HM10P10D

 

 
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