TPP90R350A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPP90R350A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для TPP90R350A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPP90R350A даташит

 ..1. Size:362K  cn wuxi unigroup
 tpp90r350a tpa90r350a.pdf pdf_icon

TPP90R350A

TPP90R350A, TPA90R350A Wuxi Unigroup Microelectronics Company 900V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on) Qg D 100% avalanche tested RoHS compliant G APPLICATIONS S Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marki

Другие IGBT... TPA70R950C, TPU70R950C, TPD70R950C, TPC70R950C, TPB70R950C, TPP80R270M, TPV80R300C, TPC80R300C, IRFZ46N, TPA90R350A, TPR60R120MFD, TPW60R120MFD, TPV60R080CFD, TPW60R080CFD, TPV65R080C, TPW65R080C, TPW60R040MFD