TPA90R350A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPA90R350A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de TPA90R350A MOSFET
TPA90R350A Datasheet (PDF)
tpp90r350a tpa90r350a.pdf

TPP90R350A, TPA90R350A Wuxi Unigroup Microelectronics Company 900V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on)Qg D 100% avalanche tested RoHS compliant G APPLICATIONS S Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marki
Otros transistores... TPU70R950C , TPD70R950C , TPC70R950C , TPB70R950C , TPP80R270M , TPV80R300C , TPC80R300C , TPP90R350A , IRF1405 , TPR60R120MFD , TPW60R120MFD , TPV60R080CFD , TPW60R080CFD , TPV65R080C , TPW65R080C , TPW60R040MFD , TPW60R080M .
History: TPD70R950M | STF16N50U | SM6A26NSFP | TMW20N65HG | FQT4N25TF | ZXMN2F34MATA | AP76T03AGMT
History: TPD70R950M | STF16N50U | SM6A26NSFP | TMW20N65HG | FQT4N25TF | ZXMN2F34MATA | AP76T03AGMT



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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