TPA90R350A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TPA90R350A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для TPA90R350A
TPA90R350A Datasheet (PDF)
tpp90r350a tpa90r350a.pdf

TPP90R350A, TPA90R350A Wuxi Unigroup Microelectronics Company 900V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on)Qg D 100% avalanche tested RoHS compliant G APPLICATIONS S Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marki
Другие MOSFET... TPU70R950C , TPD70R950C , TPC70R950C , TPB70R950C , TPP80R270M , TPV80R300C , TPC80R300C , TPP90R350A , P0903BDG , TPR60R120MFD , TPW60R120MFD , TPV60R080CFD , TPW60R080CFD , TPV65R080C , TPW65R080C , TPW60R040MFD , TPW60R080M .
History: STB18N60M2 | BLP065N08G-U
History: STB18N60M2 | BLP065N08G-U



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830