TPA90R350A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TPA90R350A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для TPA90R350A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
TPA90R350A даташит
tpp90r350a tpa90r350a.pdf
TPP90R350A, TPA90R350A Wuxi Unigroup Microelectronics Company 900V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on) Qg D 100% avalanche tested RoHS compliant G APPLICATIONS S Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marki
Другие IGBT... TPU70R950C, TPD70R950C, TPC70R950C, TPB70R950C, TPP80R270M, TPV80R300C, TPC80R300C, TPP90R350A, IRF830, TPR60R120MFD, TPW60R120MFD, TPV60R080CFD, TPW60R080CFD, TPV65R080C, TPW65R080C, TPW60R040MFD, TPW60R080M
History: TPCF8201 | TPB50R250C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH | AP3P020H | AP3N9R5YT | AP3N9R5MT | AP3N5R0MT | AP2P053Y | AP12A390YT | AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085
Popular searches
ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830

