TPR60R120MFD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPR60R120MFD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 49.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 94.1 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: TO220FP-NL

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TPR60R120MFD datasheet

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TPR60R120MFD

TPR60R120MFD,TPW60R120MFD Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 600V Super-junction Power MOSFET Description 600V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle and pioneered. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely fast and robust body diode. Also provide an extremely l

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