Справочник MOSFET. TPR60R120MFD

 

TPR60R120MFD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPR60R120MFD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 49.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 94.1 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP-NL
 

 Аналог (замена) для TPR60R120MFD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPR60R120MFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:858K  cn wuxi unigroup
 tpr60r120mfd tpw60r120mfd.pdf pdf_icon

TPR60R120MFD

TPR60R120MFD,TPW60R120MFDWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd600V Super-junction Power MOSFETDescription600V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle and pioneered. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely fast and robust body diode. Also provide an extremely l

Другие MOSFET... TPD70R950C , TPC70R950C , TPB70R950C , TPP80R270M , TPV80R300C , TPC80R300C , TPP90R350A , TPA90R350A , 60N06 , TPW60R120MFD , TPV60R080CFD , TPW60R080CFD , TPV65R080C , TPW65R080C , TPW60R040MFD , TPW60R080M , TPW60R090MFD .

History: IRFH8307 | AOI296A | AP6901AGSM-HF | P0780ATFS | TSD5N65M | 8N65KL-TA3-T

 

 
Back to Top

 


 
.