TPR60R120MFD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPR60R120MFD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 94.1 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: TO220FP-NL

Аналог (замена) для TPR60R120MFD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPR60R120MFD даташит

 ..1. Size:858K  cn wuxi unigroup
 tpr60r120mfd tpw60r120mfd.pdf pdf_icon

TPR60R120MFD

TPR60R120MFD,TPW60R120MFD Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 600V Super-junction Power MOSFET Description 600V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle and pioneered. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely fast and robust body diode. Also provide an extremely l

Другие IGBT... TPD70R950C, TPC70R950C, TPB70R950C, TPP80R270M, TPV80R300C, TPC80R300C, TPP90R350A, TPA90R350A, IRLB3034, TPW60R120MFD, TPV60R080CFD, TPW60R080CFD, TPV65R080C, TPW65R080C, TPW60R040MFD, TPW60R080M, TPW60R090MFD