TPW70R100MFD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPW70R100MFD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 391 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 123 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Encapsulados: TO247
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TPW70R100MFD datasheet
tpw70r100mfd.pdf
TPW70R100MFD Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 700V Super-Junction Power MOSFET DESCRIPTION 700V super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle. The SJ MOSFET is a price-performance optimized product enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Ligh
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History: TPW65R044MFD
🌐 : EN ES РУ
Liste
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