TPW70R100MFD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPW70R100MFD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 391 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 123 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO247

 Búsqueda de reemplazo de TPW70R100MFD MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TPW70R100MFD datasheet

 ..1. Size:453K  cn wuxi unigroup
tpw70r100mfd.pdf pdf_icon

TPW70R100MFD

TPW70R100MFD Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 700V Super-Junction Power MOSFET DESCRIPTION 700V super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle. The SJ MOSFET is a price-performance optimized product enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Ligh

Otros transistores... TPW65R080C, TPW60R040MFD, TPW60R080M, TPW60R090MFD, TPW65R040M, TPW65R044MFD, TPW65R090M, TPW65R190MFD, IRF730, TPW80R200MFD, TPW80R300MFD, TPY70R1K5MB, TSB15N06A, TSB15N10A, TSD10N06AT, TSD120N10AT, TSP120N10AT