TPW70R100MFD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPW70R100MFD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 391 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 123 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для TPW70R100MFD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPW70R100MFD даташит

 ..1. Size:453K  cn wuxi unigroup
 tpw70r100mfd.pdf pdf_icon

TPW70R100MFD

TPW70R100MFD Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 700V Super-Junction Power MOSFET DESCRIPTION 700V super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle. The SJ MOSFET is a price-performance optimized product enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Ligh

Другие IGBT... TPW65R080C, TPW60R040MFD, TPW60R080M, TPW60R090MFD, TPW65R040M, TPW65R044MFD, TPW65R090M, TPW65R190MFD, IRF730, TPW80R200MFD, TPW80R300MFD, TPY70R1K5MB, TSB15N06A, TSB15N10A, TSD10N06AT, TSD120N10AT, TSP120N10AT