Справочник MOSFET. TPW70R100MFD

 

TPW70R100MFD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPW70R100MFD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 391 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 123 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для TPW70R100MFD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPW70R100MFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:453K  cn wuxi unigroup
 tpw70r100mfd.pdf pdf_icon

TPW70R100MFD

TPW70R100MFD Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 700V Super-Junction Power MOSFET DESCRIPTION 700V super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The SJ MOSFET is a price-performance optimized product enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Ligh

Другие MOSFET... TPW65R080C , TPW60R040MFD , TPW60R080M , TPW60R090MFD , TPW65R040M , TPW65R044MFD , TPW65R090M , TPW65R190MFD , BS170 , TPW80R200MFD , TPW80R300MFD , TPY70R1K5MB , TSB15N06A , TSB15N10A , TSD10N06AT , TSD120N10AT , TSP120N10AT .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.