TPW70R100MFD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TPW70R100MFD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 391 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 123 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: TO247
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
TPW70R100MFD Datasheet (PDF)
tpw70r100mfd.pdf

TPW70R100MFD Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 700V Super-Junction Power MOSFET DESCRIPTION 700V super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The SJ MOSFET is a price-performance optimized product enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Ligh
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IRFI510G | VSE002N03MS-G | SSS2N60B | 2SK3430-ZJ | IRFD9220PBF | APT11N80BC3G | R6535KNZ1
History: IRFI510G | VSE002N03MS-G | SSS2N60B | 2SK3430-ZJ | IRFD9220PBF | APT11N80BC3G | R6535KNZ1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent