TPY70R1K5MB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPY70R1K5MB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223-2L
Búsqueda de reemplazo de TPY70R1K5MB MOSFET
TPY70R1K5MB Datasheet (PDF)
tpy70r1k5mb.pdf

TPY70R1K5MB Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 700V Super-Junction Power MOSFET DESCRIPTION 700V super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The SJ MOSFET is a price-performance optimized product enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Light
Otros transistores... TPW60R090MFD , TPW65R040M , TPW65R044MFD , TPW65R090M , TPW65R190MFD , TPW70R100MFD , TPW80R200MFD , TPW80R300MFD , IRF740 , TSB15N06A , TSB15N10A , TSD10N06AT , TSD120N10AT , TSP120N10AT , TSG120N10AT , TSD12N06AT , TSG017N045AT .
History: IPP111N15N3G | DAC060N120P1 | IPL65R650C6S | IPL65R230C7 | IPL65R310E6 | 10N70G-TF2-T | SIA466EDJ
History: IPP111N15N3G | DAC060N120P1 | IPL65R650C6S | IPL65R230C7 | IPL65R310E6 | 10N70G-TF2-T | SIA466EDJ



Liste
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