TPY70R1K5MB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPY70R1K5MB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223-2L
Búsqueda de reemplazo de TPY70R1K5MB MOSFET
TPY70R1K5MB Datasheet (PDF)
tpy70r1k5mb.pdf

TPY70R1K5MB Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 700V Super-Junction Power MOSFET DESCRIPTION 700V super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The SJ MOSFET is a price-performance optimized product enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Light
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History: AP86T03GH | IRFU1018EPBF | ME95N03T | AO4800 | GM2302 | AON7518 | IPB77N06S2-12
History: AP86T03GH | IRFU1018EPBF | ME95N03T | AO4800 | GM2302 | AON7518 | IPB77N06S2-12



Liste
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MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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