TPY70R1K5MB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPY70R1K5MB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: SOT223-2L

Аналог (замена) для TPY70R1K5MB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPY70R1K5MB даташит

 ..1. Size:273K  cn wuxi unigroup
 tpy70r1k5mb.pdf pdf_icon

TPY70R1K5MB

TPY70R1K5MB Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 700V Super-Junction Power MOSFET DESCRIPTION 700V super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle. The SJ MOSFET is a price-performance optimized product enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Light

Другие IGBT... TPW60R090MFD, TPW65R040M, TPW65R044MFD, TPW65R090M, TPW65R190MFD, TPW70R100MFD, TPW80R200MFD, TPW80R300MFD, IRF740, TSB15N06A, TSB15N10A, TSD10N06AT, TSD120N10AT, TSP120N10AT, TSG120N10AT, TSD12N06AT, TSG017N045AT