Справочник MOSFET. TPY70R1K5MB

 

TPY70R1K5MB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPY70R1K5MB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT223-2L
 

 Аналог (замена) для TPY70R1K5MB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPY70R1K5MB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:273K  cn wuxi unigroup
 tpy70r1k5mb.pdf pdf_icon

TPY70R1K5MB

TPY70R1K5MB Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 700V Super-Junction Power MOSFET DESCRIPTION 700V super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The SJ MOSFET is a price-performance optimized product enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Light

Другие MOSFET... TPW60R090MFD , TPW65R040M , TPW65R044MFD , TPW65R090M , TPW65R190MFD , TPW70R100MFD , TPW80R200MFD , TPW80R300MFD , IRF740 , TSB15N06A , TSB15N10A , TSD10N06AT , TSD120N10AT , TSP120N10AT , TSG120N10AT , TSD12N06AT , TSG017N045AT .

History: SI7886ADP | HAT2226R | DMN67D8LW | 1N60L-TN3-R | BRCS120N06SYM | KUK7606-75B | P1850EF

 

 
Back to Top

 


 
.