TSD12N06AT Todos los transistores

 

TSD12N06AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSD12N06AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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TSD12N06AT Datasheet (PDF)

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TSD12N06AT

TSD12N06AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 60V N-Channel DTMOS FEATURES Trench Power DTMOS technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for fast-switching applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Information Device Pa

 9.1. Size:692K  cn wuxi unigroup
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TSD12N06AT

TSD120N10AT,TSP120N10AT,TSG120N10ATWuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.100V N-Channel SGT MOSFETGeneral DescriptionProduct SummaryVDS 100V l Trench Power SGT technologyID (at VGS =10V) 55Al Very low on-resistance RDS(ON)RDS(ON) (at VGS =10V)

Otros transistores... TPW80R300MFD , TPY70R1K5MB , TSB15N06A , TSB15N10A , TSD10N06AT , TSD120N10AT , TSP120N10AT , TSG120N10AT , IRFZ44 , TSG017N045AT , TSG10N06AT , TSG12N06AT , TSG12N10AT , TSJ10N06AT , TSJ10N10AT , TSP15N06A , TSP15N10A .

History: STF20NM65N | CEK01N6G | OSG90R1K2IF | PSMN9R0-25YLC | 2N80L-TA3-T | BUK9K29-100E | HY3N80T

 

 
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