TSD12N06AT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSD12N06AT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO252

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TSD12N06AT datasheet

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TSD12N06AT

TSD12N06AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 60V N-Channel DTMOS FEATURES Trench Power DTMOS technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for fast-switching applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Information Device Pa

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TSD12N06AT

TSD120N10AT,TSP120N10AT,TSG120N10AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 100V N-Channel SGT MOSFET General Description Product Summary VDS 100V l Trench Power SGT technology ID (at VGS =10V) 55A l Very low on-resistance RDS(ON) RDS(ON) (at VGS =10V)

Otros transistores... TPW80R300MFD, TPY70R1K5MB, TSB15N06A, TSB15N10A, TSD10N06AT, TSD120N10AT, TSP120N10AT, TSG120N10AT, IRFZ44, TSG017N045AT, TSG10N06AT, TSG12N06AT, TSG12N10AT, TSJ10N06AT, TSJ10N10AT, TSP15N06A, TSP15N10A