Справочник MOSFET. TSD12N06AT

 

TSD12N06AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSD12N06AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для TSD12N06AT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSD12N06AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:473K  cn wuxi unigroup
 tsd12n06at.pdf pdf_icon

TSD12N06AT

TSD12N06AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 60V N-Channel DTMOS FEATURES Trench Power DTMOS technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for fast-switching applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Information Device Pa

 9.1. Size:692K  cn wuxi unigroup
 tsd120n10at tsp120n10at tsg120n10at.pdf pdf_icon

TSD12N06AT

TSD120N10AT,TSP120N10AT,TSG120N10ATWuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.100V N-Channel SGT MOSFETGeneral DescriptionProduct SummaryVDS 100V l Trench Power SGT technologyID (at VGS =10V) 55Al Very low on-resistance RDS(ON)RDS(ON) (at VGS =10V)

Другие MOSFET... TPW80R300MFD , TPY70R1K5MB , TSB15N06A , TSB15N10A , TSD10N06AT , TSD120N10AT , TSP120N10AT , TSG120N10AT , IRFZ44 , TSG017N045AT , TSG10N06AT , TSG12N06AT , TSG12N10AT , TSJ10N06AT , TSJ10N10AT , TSP15N06A , TSP15N10A .

History: BUZ385 | TK31E60X | AON6764 | CHM3413SGP | SSF3322 | FDZ293P | NCEP40T17AT

 

 
Back to Top

 


 
.