TSG017N045AT Todos los transistores

 

TSG017N045AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSG017N045AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1213 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

 Búsqueda de reemplazo de TSG017N045AT MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TSG017N045AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:298K  cn wuxi unigroup
 tsg017n045at.pdf pdf_icon

TSG017N045AT

TSG017N045AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 45V N-Channel SGT MOSFET General Description Product Summary Trench Power SGT technology VDS 45V Very low on-resistance RDS(ON) ID (at VGS =10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Otros transistores... TPY70R1K5MB , TSB15N06A , TSB15N10A , TSD10N06AT , TSD120N10AT , TSP120N10AT , TSG120N10AT , TSD12N06AT , IRFP460 , TSG10N06AT , TSG12N06AT , TSG12N10AT , TSJ10N06AT , TSJ10N10AT , TSP15N06A , TSP15N10A , TTB105N06A .

 

 
Back to Top

 


 
.