Справочник MOSFET. TSG017N045AT

 

TSG017N045AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSG017N045AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1213 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для TSG017N045AT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSG017N045AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:298K  cn wuxi unigroup
 tsg017n045at.pdf pdf_icon

TSG017N045AT

TSG017N045AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 45V N-Channel SGT MOSFET General Description Product Summary Trench Power SGT technology VDS 45V Very low on-resistance RDS(ON) ID (at VGS =10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Другие MOSFET... TPY70R1K5MB , TSB15N06A , TSB15N10A , TSD10N06AT , TSD120N10AT , TSP120N10AT , TSG120N10AT , TSD12N06AT , IRFP460 , TSG10N06AT , TSG12N06AT , TSG12N10AT , TSJ10N06AT , TSJ10N10AT , TSP15N06A , TSP15N10A , TTB105N06A .

History: RV1C001ZP

 

 
Back to Top

 


 
.