TSG017N045AT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSG017N045AT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1213 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для TSG017N045AT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSG017N045AT даташит

 ..1. Size:298K  cn wuxi unigroup
 tsg017n045at.pdf pdf_icon

TSG017N045AT

TSG017N045AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 45V N-Channel SGT MOSFET General Description Product Summary Trench Power SGT technology VDS 45V Very low on-resistance RDS(ON) ID (at VGS =10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Другие IGBT... TPY70R1K5MB, TSB15N06A, TSB15N10A, TSD10N06AT, TSD120N10AT, TSP120N10AT, TSG120N10AT, TSD12N06AT, IRF640, TSG10N06AT, TSG12N06AT, TSG12N10AT, TSJ10N06AT, TSJ10N10AT, TSP15N06A, TSP15N10A, TTB105N06A