Справочник MOSFET. TSG017N045AT

 

TSG017N045AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSG017N045AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1213 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TSG017N045AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:298K  cn wuxi unigroup
 tsg017n045at.pdf pdf_icon

TSG017N045AT

TSG017N045AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 45V N-Channel SGT MOSFET General Description Product Summary Trench Power SGT technology VDS 45V Very low on-resistance RDS(ON) ID (at VGS =10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.