TSG10N06AT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSG10N06AT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 123 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

 Búsqueda de reemplazo de TSG10N06AT MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TSG10N06AT datasheet

 ..1. Size:481K  cn wuxi unigroup
 tsg10n06at.pdf pdf_icon

TSG10N06AT

TSG10N06AT Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd. 60V N-Channel DTMOS Product Summary Features Trench Power DTMOS Technology VDS 60V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:341K  taiwansemi
 tsg10n120cn.pdf pdf_icon

TSG10N06AT

TSG10N120CN N-Channel IGBT with FRD. TO-3P Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1200 30 10.5 General Description The TSG10N120CN using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

Otros transistores... TSB15N06A, TSB15N10A, TSD10N06AT, TSD120N10AT, TSP120N10AT, TSG120N10AT, TSD12N06AT, TSG017N045AT, IRF1404, TSG12N06AT, TSG12N10AT, TSJ10N06AT, TSJ10N10AT, TSP15N06A, TSP15N10A, TTB105N06A, TTP105N06A