TSG10N06AT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSG10N06AT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для TSG10N06AT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSG10N06AT даташит

 ..1. Size:481K  cn wuxi unigroup
 tsg10n06at.pdf pdf_icon

TSG10N06AT

TSG10N06AT Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd. 60V N-Channel DTMOS Product Summary Features Trench Power DTMOS Technology VDS 60V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:341K  taiwansemi
 tsg10n120cn.pdf pdf_icon

TSG10N06AT

TSG10N120CN N-Channel IGBT with FRD. TO-3P Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1200 30 10.5 General Description The TSG10N120CN using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

Другие IGBT... TSB15N06A, TSB15N10A, TSD10N06AT, TSD120N10AT, TSP120N10AT, TSG120N10AT, TSD12N06AT, TSG017N045AT, IRF1404, TSG12N06AT, TSG12N10AT, TSJ10N06AT, TSJ10N10AT, TSP15N06A, TSP15N10A, TTB105N06A, TTP105N06A