TSG12N10AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TSG12N10AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 153 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TSG12N10AT

TSG12N10AT Datasheet (PDF)

..1. Size:456K cn wuxi unigroup
tsg12n10at.pdf

TSG12N10AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 100V N-Channel DTMOS FEATURES Trench Power DTMOS Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Information Device P

8.1. Size:481K cn wuxi unigroup
tsg12n06at.pdf

TSG12N06AT Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd. 60V N-Channel DTMOS Product Summary Features Trench Power DTMOS Technology VDS 60V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

9.1. Size:692K cn wuxi unigroup
tsd120n10at tsp120n10at tsg120n10at.pdf

TSD120N10AT,TSP120N10AT,TSG120N10ATWuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.100V N-Channel SGT MOSFETGeneral DescriptionProduct SummaryVDS 100V l Trench Power SGT technologyID (at VGS =10V) 55Al Very low on-resistance RDS(ON)RDS(ON) (at VGS =10V)

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: