TSG12N10AT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TSG12N10AT
Маркировка: 12N10AT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
trⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 153 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для TSG12N10AT
TSG12N10AT Datasheet (PDF)
tsg12n10at.pdf
TSG12N10AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 100V N-Channel DTMOS FEATURES Trench Power DTMOS Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Information Device P
tsg12n06at.pdf
TSG12N06AT Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd. 60V N-Channel DTMOS Product Summary Features Trench Power DTMOS Technology VDS 60V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)
tsd120n10at tsp120n10at tsg120n10at.pdf
TSD120N10AT,TSP120N10AT,TSG120N10ATWuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.100V N-Channel SGT MOSFETGeneral DescriptionProduct SummaryVDS 100V l Trench Power SGT technologyID (at VGS =10V) 55Al Very low on-resistance RDS(ON)RDS(ON) (at VGS =10V)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
