TSJ10N06AT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSJ10N06AT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 123 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Encapsulados: SOP8
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TSJ10N06AT datasheet
tsj10n06at.pdf
TSJ10N06AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 60V N-Channel DTMOS FEATURES Trench Power DTMOS technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for fast-switching applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Information Device Pa
tsj10n10at.pdf
TSJ10N10AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 100V N-Channel DTMOS FEATURES Trench Power DTMOS technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for fast-switching applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Information Device P
stsj100nhs3ll.pdf
STSJ100NHS3LL N-channel 30V - 0.0032 - 20A - PowerSO-8 STripFET III Power MOSFET plus monolithic schottky General features Type VDSS RDS(on) ID STSJ100NHS3LL 30V 0.0042 20A(1) 1. This value is rated accordingly to Rthj-pcb Optimal RDS(on) x Qg trade-off @ 4.5V Reduced switching losses Reduced conduction losses PowerSO-8 Improved junction-case thermal resist
stsj100nh3ll.pdf
STSJ100NH3LL N-CHANNEL 30 V - 0.0032 - 25 A PowerSO-8 STripFET III MOSFET FOR DC-DC CONVERSION Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID STSJ100NH3LL 30V
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