TSJ10N06AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TSJ10N06AT
   Código: 10N06AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 123 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TSJ10N06AT

TSJ10N06AT Datasheet (PDF)

..1. Size:570K cn wuxi unigroup
tsj10n06at.pdf

TSJ10N06AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 60V N-Channel DTMOS FEATURES Trench Power DTMOS technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for fast-switching applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Information Device Pa

8.1. Size:571K cn wuxi unigroup
tsj10n10at.pdf

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9.1. Size:304K st
stsj100nhs3ll.pdf

STSJ100NHS3LLN-channel 30V - 0.0032 - 20A - PowerSO-8STripFETIII Power MOSFET plus monolithic schottkyGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTSJ100NHS3LL 30V 0.0042 20A(1)1. This value is rated accordingly to Rthj-pcb Optimal RDS(on) x Qg trade-off @ 4.5V Reduced switching losses Reduced conduction lossesPowerSO-8 Improved junction-case thermal resist

9.2. Size:457K st
stsj100nh3ll.pdf

STSJ100NH3LLN-CHANNEL 30 V - 0.0032 - 25 A PowerSO-8STripFET III MOSFET FOR DC-DC CONVERSIONTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID STSJ100NH3LL 30V

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Liste

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