TTB105N08A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TTB105N08A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 195 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 105 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: TO263

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TTB105N08A datasheet

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TTB105N08A

TTB105N08A,TTP105N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description Trench Power Technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 105A Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:653K  cn wuxi unigroup
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TTB105N08A

TTB105N06A,TTP105N06A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 60V N-Channel Trench MOSFET General Description Product Summary Trench Power technology VDS 60V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 105A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

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TTB105N08A

TTB1020B Bipolar Transistors Silicon PNP Triple-Diffused Type TTB1020B TTB1020B TTB1020B TTB1020B 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Current Switching Hammer Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High DC current gain hFE = 2000 (min) (VCE = -3 V , IC = -3 A) (2) Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) =

 9.2. Size:639K  toshiba
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TTB105N08A

TTB1067B PNP ( ) TTB1067B TTB1067B TTB1067B TTB1067B 1. 1. 1. 1. 2. 2. 2. 2. (1)

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