TTB105N08A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TTB105N08A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 105 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для TTB105N08A
TTB105N08A Datasheet (PDF)
ttb105n08a ttp105n08a.pdf

TTB105N08A,TTP105N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description Trench Power Technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 105A Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications RDS(ON) (at VGS=10V)
ttb105n06a ttp105n06a.pdf

TTB105N06A,TTP105N06A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 60V N-Channel Trench MOSFET General Description Product Summary Trench Power technology VDS 60V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 105A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)
ttb1020b.pdf

TTB1020BBipolar Transistors Silicon PNP Triple-Diffused TypeTTB1020BTTB1020BTTB1020BTTB1020B1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Current Switching Hammer Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = -3 V , IC = -3 A)(2) Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat) =
ttb1067b.pdf

TTB1067B PNP ()TTB1067BTTB1067BTTB1067BTTB1067B1. 1. 1. 1. 2. 2. 2. 2. (1)
Другие MOSFET... TSG12N06AT , TSG12N10AT , TSJ10N06AT , TSJ10N10AT , TSP15N06A , TSP15N10A , TTB105N06A , TTP105N06A , IRFB4110 , TTP105N08A , TTB115N08A , TTP115N08A , TTB115N08AA , TTP115N08AA , TTB118N08A , TTP118N08A , TTB135N68A .
History: SSM6P39TU | MPSA60M240 | IPI120N08S4-03 | RT1E060XN | APM4532 | CEP3120
History: SSM6P39TU | MPSA60M240 | IPI120N08S4-03 | RT1E060XN | APM4532 | CEP3120



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet