TTB115N08A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TTB115N08A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 115 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 302 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: TO263

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TTB115N08A datasheet

 ..1. Size:445K  cn wuxi unigroup
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TTB115N08A

TTB115N08A,TTP115N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 80V N-Channel Trench MOSFET Product Summary Features Trench Power Technology VDS 80V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

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TTB115N08A

TTB115N08AA,TTP115N08AA Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 115A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

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TTB115N08A

TTB118N08A,TTP118N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 82V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 82V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 118A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Otros transistores... TSJ10N06AT, TSJ10N10AT, TSP15N06A, TSP15N10A, TTB105N06A, TTP105N06A, TTB105N08A, TTP105N08A, 2N7000, TTP115N08A, TTB115N08AA, TTP115N08AA, TTB118N08A, TTP118N08A, TTB135N68A, TTP135N68A, TTB145N06A