Справочник MOSFET. TTB115N08A

 

TTB115N08A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TTB115N08A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 115 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 302 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для TTB115N08A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTB115N08A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:445K  cn wuxi unigroup
 ttb115n08a ttp115n08a.pdf pdf_icon

TTB115N08A

TTB115N08A,TTP115N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 80V N-Channel Trench MOSFET Product Summary Features Trench Power Technology VDS 80V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.1. Size:811K  cn wuxi unigroup
 ttb115n08aa ttp115n08aa.pdf pdf_icon

TTB115N08A

TTB115N08AA,TTP115N08AA Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 115A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

 9.1. Size:790K  cn wuxi unigroup
 ttb118n08a ttp118n08a.pdf pdf_icon

TTB115N08A

TTB118N08A,TTP118N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 82V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 82V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 118A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Другие MOSFET... TSJ10N06AT , TSJ10N10AT , TSP15N06A , TSP15N10A , TTB105N06A , TTP105N06A , TTB105N08A , TTP105N08A , IRF9540 , TTP115N08A , TTB115N08AA , TTP115N08AA , TTB118N08A , TTP118N08A , TTB135N68A , TTP135N68A , TTB145N06A .

History: RTR025N03FRA

 

 
Back to Top

 


 
.