TTB135N68A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TTB135N68A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 68 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 135 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 443 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: TO263

 Búsqueda de reemplazo de TTB135N68A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TTB135N68A datasheet

 ..1. Size:449K  cn wuxi unigroup
 ttb135n68a ttp135n68a.pdf pdf_icon

TTB135N68A

TTB135N68A,TTP135N68A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 68V N-Channel Trench MOSFET Product Summary Features Trench Power Technology VDS 68V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... TTB105N08A, TTP105N08A, TTB115N08A, TTP115N08A, TTB115N08AA, TTP115N08AA, TTB118N08A, TTP118N08A, IRF9540, TTP135N68A, TTB145N06A, TTP145N06A, TTB145N08A, TTP145N08A, TTB30P10AT, TTD30P10AT, TTP30P10AT