TTB135N68A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TTB135N68A
   Código: 135N68A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 160 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 68 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 135 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 114 nC
   Tiempo de subida (tr): 11 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 443 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

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TTB135N68A Datasheet (PDF)

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ttb135n68a ttp135n68a.pdf

TTB135N68A,TTP135N68A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 68V N-Channel Trench MOSFET Product Summary Features Trench Power Technology VDS 68V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

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Liste

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