TTB135N68A Todos los transistores

 

TTB135N68A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TTB135N68A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 135 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 443 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de TTB135N68A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TTB135N68A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:449K  cn wuxi unigroup
 ttb135n68a ttp135n68a.pdf pdf_icon

TTB135N68A

TTB135N68A,TTP135N68A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 68V N-Channel Trench MOSFET Product Summary Features Trench Power Technology VDS 68V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... TTB105N08A , TTP105N08A , TTB115N08A , TTP115N08A , TTB115N08AA , TTP115N08AA , TTB118N08A , TTP118N08A , K3569 , TTP135N68A , TTB145N06A , TTP145N06A , TTB145N08A , TTP145N08A , TTB30P10AT , TTD30P10AT , TTP30P10AT .

History: IPI120N08S4-03 | CEP3120 | SSM6P39TU | BSS123-7 | APM4532 | CEP9060N | AON6758

 

 
Back to Top

 


 
.