All MOSFET. TTB135N68A Datasheet

 

TTB135N68A Datasheet and Replacement


   Type Designator: TTB135N68A
   Type of Transistor: MOSFET
   Type of Control Channel: N -Channel
   Pd ⓘ - Maximum Power Dissipation: 160 W
   |Vds|ⓘ - Maximum Drain-Source Voltage: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Maximum Gate-Source Voltage: 20 V
   |Id| ⓘ - Maximum Drain Current: 135 A
   Tj ⓘ - Maximum Junction Temperature: 175 °C
   tr ⓘ - Rise Time: 11 nS
   Cossⓘ - Output Capacitance: 443 pF
   Rds ⓘ - Maximum Drain-Source On-State Resistance: 0.005 Ohm
   Package: TO263
 

 TTB135N68A substitution

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TTB135N68A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:449K  cn wuxi unigroup
 ttb135n68a ttp135n68a.pdf pdf_icon

TTB135N68A

TTB135N68A,TTP135N68A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 68V N-Channel Trench MOSFET Product Summary Features Trench Power Technology VDS 68V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Datasheet: TTB105N08A , TTP105N08A , TTB115N08A , TTP115N08A , TTB115N08AA , TTP115N08AA , TTB118N08A , TTP118N08A , K3569 , TTP135N68A , TTB145N06A , TTP145N06A , TTB145N08A , TTP145N08A , TTB30P10AT , TTD30P10AT , TTP30P10AT .

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