TTB135N68A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TTB135N68A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 135 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 443 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для TTB135N68A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTB135N68A даташит

 ..1. Size:449K  cn wuxi unigroup
 ttb135n68a ttp135n68a.pdf pdf_icon

TTB135N68A

TTB135N68A,TTP135N68A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 68V N-Channel Trench MOSFET Product Summary Features Trench Power Technology VDS 68V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... TTB105N08A, TTP105N08A, TTB115N08A, TTP115N08A, TTB115N08AA, TTP115N08AA, TTB118N08A, TTP118N08A, IRF9540, TTP135N68A, TTB145N06A, TTP145N06A, TTB145N08A, TTP145N08A, TTB30P10AT, TTD30P10AT, TTP30P10AT