Справочник MOSFET. TTB135N68A

 

TTB135N68A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TTB135N68A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 135 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 443 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для TTB135N68A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTB135N68A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:449K  cn wuxi unigroup
 ttb135n68a ttp135n68a.pdf pdf_icon

TTB135N68A

TTB135N68A,TTP135N68A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 68V N-Channel Trench MOSFET Product Summary Features Trench Power Technology VDS 68V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... TTB105N08A , TTP105N08A , TTB115N08A , TTP115N08A , TTB115N08AA , TTP115N08AA , TTB118N08A , TTP118N08A , K3569 , TTP135N68A , TTB145N06A , TTP145N06A , TTB145N08A , TTP145N08A , TTB30P10AT , TTD30P10AT , TTP30P10AT .

History: STS5DNF60L | AON6246 | BLM6G22-30 | UF460G-T3P-T | HGD120N10AL | KMB060N60FA

 

 
Back to Top

 


 
.