TTD30P10AT Todos los transistores

 

TTD30P10AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TTD30P10AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 625 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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TTD30P10AT Datasheet (PDF)

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TTD30P10AT

TTD30P10AT, TTP30P10AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 100V P-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Load Switches Battery Switch Device Marking and Package Information Device Package Marking TTP30P10AT TO-220 30P10AT TTD30P10AT TO

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TTD30P10AT

TTB30P10AT,TTD30P10AT,TTP30P10AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 100V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS -100V Low RDS(ON) ID (at VGS =-10V) -30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =-10V)

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TTD30P10AT

TTD30P03AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS -30V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) -30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =-10V)

Otros transistores... TTP118N08A , TTB135N68A , TTP135N68A , TTB145N06A , TTP145N06A , TTB145N08A , TTP145N08A , TTB30P10AT , IRLB4132 , TTP30P10AT , TTB85N08A , TTP85N08A , TTB85N08AA , TTP85N08AA , TTB95N68A , TTD95N68A , TTP95N68A .

History: TTB85N08A | BUK9640-100A | TTP145N08A

 

 
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