TTD30P10AT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TTD30P10AT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 625 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для TTD30P10AT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTD30P10AT даташит

 ..1. Size:453K  cn wuxi unigroup
 ttd30p10at ttp30p10at.pdf pdf_icon

TTD30P10AT

TTD30P10AT, TTP30P10AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 100V P-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Load Switches Battery Switch Device Marking and Package Information Device Package Marking TTP30P10AT TO-220 30P10AT TTD30P10AT TO

 ..2. Size:798K  cn wuxi unigroup
 ttb30p10at ttd30p10at ttp30p10at.pdf pdf_icon

TTD30P10AT

TTB30P10AT,TTD30P10AT,TTP30P10AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 100V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS -100V Low RDS(ON) ID (at VGS =-10V) -30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =-10V)

 8.1. Size:681K  cn wuxi unigroup
 ttd30p03at.pdf pdf_icon

TTD30P10AT

TTD30P03AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 30V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS -30V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) -30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =-10V)

Другие IGBT... TTP118N08A, TTB135N68A, TTP135N68A, TTB145N06A, TTP145N06A, TTB145N08A, TTP145N08A, TTB30P10AT, IRLB4132, TTP30P10AT, TTB85N08A, TTP85N08A, TTB85N08AA, TTP85N08AA, TTB95N68A, TTD95N68A, TTP95N68A