TTD95N68A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TTD95N68A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 94 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 274 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de TTD95N68A MOSFET
TTD95N68A Datasheet (PDF)
ttb95n68a ttd95n68a ttp95n68a.pdf

TTB95N68A,TTD95N68A,TTP95N68A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 68V N-Channel Trench MOSFET Product Summary Features Trench Power Technology VDS 68V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)
Otros transistores... TTB30P10AT , TTD30P10AT , TTP30P10AT , TTB85N08A , TTP85N08A , TTB85N08AA , TTP85N08AA , TTB95N68A , IRFB3607 , TTP95N68A , TTD100N04AT , TTP100N04AT , TTD120N03AT , TTP120N03AT , TTD120N04AT , TTP120N04AT , TTD135N68A .
History: BUK7Y53-100B | SVF7N60CD | SVG096R5NT | IXFR48N50Q | IPW65R080CFD | PP2915AD | SVG094R1NKL
History: BUK7Y53-100B | SVF7N60CD | SVG096R5NT | IXFR48N50Q | IPW65R080CFD | PP2915AD | SVG094R1NKL



Liste
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