TTD95N68A Todos los transistores

 

TTD95N68A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TTD95N68A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 94 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 274 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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TTD95N68A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:527K  cn wuxi unigroup
 ttb95n68a ttd95n68a ttp95n68a.pdf pdf_icon

TTD95N68A

TTB95N68A,TTD95N68A,TTP95N68A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 68V N-Channel Trench MOSFET Product Summary Features Trench Power Technology VDS 68V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... TTB30P10AT , TTD30P10AT , TTP30P10AT , TTB85N08A , TTP85N08A , TTB85N08AA , TTP85N08AA , TTB95N68A , IRFB3607 , TTP95N68A , TTD100N04AT , TTP100N04AT , TTD120N03AT , TTP120N03AT , TTD120N04AT , TTP120N04AT , TTD135N68A .

History: STW12N120K5 | IXFH60N20F | AON2801 | IXTH96N20P | DMN6068LK3-13 | CES2362

 

 
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