TTD95N68A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TTD95N68A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 94 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 274 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для TTD95N68A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTD95N68A даташит

 ..1. Size:527K  cn wuxi unigroup
 ttb95n68a ttd95n68a ttp95n68a.pdf pdf_icon

TTD95N68A

TTB95N68A,TTD95N68A,TTP95N68A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 68V N-Channel Trench MOSFET Product Summary Features Trench Power Technology VDS 68V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... TTB30P10AT, TTD30P10AT, TTP30P10AT, TTB85N08A, TTP85N08A, TTB85N08AA, TTP85N08AA, TTB95N68A, K4145, TTP95N68A, TTD100N04AT, TTP100N04AT, TTD120N03AT, TTP120N03AT, TTD120N04AT, TTP120N04AT, TTD135N68A