TTP120N04AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TTP120N04AT
Código: 120N04AT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 143 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 132 nC
Tiempo de subida (tr): 11 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 587 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0035 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TTP120N04AT
TTP120N04AT Datasheet (PDF)
ttd120n04at ttp120n04at.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
TTD120N04AT, TTP120N04AT Wuxi Unigroup Microelectronics CompanyWuxi Unigroup Microelectronics Company 40V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and
ttd120n03at ttp120n03at.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
TTD120N03AT, TTP120N03AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 30V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .