Справочник MOSFET. TTP120N04AT

 

TTP120N04AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TTP120N04AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 143 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 587 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для TTP120N04AT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTP120N04AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:450K  cn wuxi unigroup
 ttd120n04at ttp120n04at.pdf pdf_icon

TTP120N04AT

TTD120N04AT, TTP120N04AT Wuxi Unigroup Microelectronics CompanyWuxi Unigroup Microelectronics Company 40V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and

 6.1. Size:449K  cn wuxi unigroup
 ttd120n03at ttp120n03at.pdf pdf_icon

TTP120N04AT

TTD120N03AT, TTP120N03AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 30V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package

Другие MOSFET... TTB95N68A , TTD95N68A , TTP95N68A , TTD100N04AT , TTP100N04AT , TTD120N03AT , TTP120N03AT , TTD120N04AT , IRLZ44N , TTD135N68A , TTD160N03GT , TTP160N03GT , TTD18P10AT , TTP18P10AT , TTD20N04AT , TTD30P03AT , TTD35N02AV .

 

 
Back to Top

 


 
.