TTP160N03GT Todos los transistores

 

TTP160N03GT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TTP160N03GT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 143 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 904 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de TTP160N03GT MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TTP160N03GT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:448K  cn wuxi unigroup
 ttd160n03gt ttp160n03gt.pdf pdf_icon

TTP160N03GT

TTD160N03GT, TTP160N03GT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 30V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package

Otros transistores... TTD100N04AT , TTP100N04AT , TTD120N03AT , TTP120N03AT , TTD120N04AT , TTP120N04AT , TTD135N68A , TTD160N03GT , IRFP450 , TTD18P10AT , TTP18P10AT , TTD20N04AT , TTD30P03AT , TTD35N02AV , TTD40P03AT , TTD50P04AT , TTD60N03QT .

History: CED20N02 | 2SK1868 | IXTQ36N30P | IRFS9620 | SSM3K15FS | STN2NF10

 

 
Back to Top

 


 
.