TTP160N03GT Todos los transistores

 

TTP160N03GT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TTP160N03GT
   Código: 160N03GT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 143 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 160 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 904 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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TTP160N03GT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:448K  cn wuxi unigroup
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TTP160N03GT

TTD160N03GT, TTP160N03GT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 30V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package

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History: AP15T20GI-HF | BUK7K17-60E

 

 
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