TTP160N03GT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TTP160N03GT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 143 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 904 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для TTP160N03GT
TTP160N03GT Datasheet (PDF)
ttd160n03gt ttp160n03gt.pdf

TTD160N03GT, TTP160N03GT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 30V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package
Другие MOSFET... TTD100N04AT , TTP100N04AT , TTD120N03AT , TTP120N03AT , TTD120N04AT , TTP120N04AT , TTD135N68A , TTD160N03GT , AON6380 , TTD18P10AT , TTP18P10AT , TTD20N04AT , TTD30P03AT , TTD35N02AV , TTD40P03AT , TTD50P04AT , TTD60N03QT .
History: NCE75H35TC | HUFA75333S3S | PHP45NQ11T | IXFP20N50P3
History: NCE75H35TC | HUFA75333S3S | PHP45NQ11T | IXFP20N50P3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20P01BF | AP20N10D | AP20N06S | AP20N06D | AP20N06BD | AP20N03D | AP20N02DF | AP20N02BF | AP20H04NF | AP20H03NF | AP20H02S | AP20G06GD | AP20G04NF | AP20G04GD | AP20G03NF | AP70P03DF
Popular searches
c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g