TTP160N03GT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TTP160N03GT
Маркировка: 160N03GT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 143 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 160 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 160 nC
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 904 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0021 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для TTP160N03GT
TTP160N03GT Datasheet (PDF)
..1. Size:448K cn wuxi unigroup
ttd160n03gt ttp160n03gt.pdf
ttd160n03gt ttp160n03gt.pdf
TTD160N03GT, TTP160N03GT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 30V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: HMS11N60I
