TTD18P10AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TTD18P10AT
Código: 18P10AT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 113 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 70 nC
Tiempo de subida (tr): 73 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 102 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.096 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TTD18P10AT
TTD18P10AT Datasheet (PDF)
..1. Size:451K cn wuxi unigroup
ttd18p10at ttp18p10at.pdf
ttd18p10at ttp18p10at.pdf
TTD18P10AT, TTP18P10AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 100V P-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Load Switches Battery Switch Device Marking and Package Information Device Package Marking TTP18P10AT TO-220 18P10AT TTD18P10AT TO
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
