TTD18P10AT Todos los transistores

 

TTD18P10AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TTD18P10AT
   Código: 18P10AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 113 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 70 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.096 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

TTD18P10AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:451K  cn wuxi unigroup
 ttd18p10at ttp18p10at.pdf pdf_icon

TTD18P10AT

TTD18P10AT, TTP18P10AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 100V P-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Load Switches Battery Switch Device Marking and Package Information Device Package Marking TTP18P10AT TO-220 18P10AT TTD18P10AT TO

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History: KMB8D2N60QA | SIE844DF | 15N45 | HMS35DN10DA | TSD5N50MR | SM3005NSF | RJK0632JPD

 

 
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