TTD18P10AT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TTD18P10AT
Маркировка: 18P10AT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 113 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 70 nC
Время нарастания (tr): 73 ns
Выходная емкость (Cd): 102 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.096 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для TTD18P10AT
TTD18P10AT Datasheet (PDF)
..1. Size:451K cn wuxi unigroup
ttd18p10at ttp18p10at.pdf
ttd18p10at ttp18p10at.pdf
TTD18P10AT, TTP18P10AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 100V P-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Load Switches Battery Switch Device Marking and Package Information Device Package Marking TTP18P10AT TO-220 18P10AT TTD18P10AT TO
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP450 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
