TTD18P10AT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TTD18P10AT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.096 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для TTD18P10AT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTD18P10AT даташит

 ..1. Size:451K  cn wuxi unigroup
 ttd18p10at ttp18p10at.pdf pdf_icon

TTD18P10AT

TTD18P10AT, TTP18P10AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 100V P-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Load Switches Battery Switch Device Marking and Package Information Device Package Marking TTP18P10AT TO-220 18P10AT TTD18P10AT TO

Другие IGBT... TTP100N04AT, TTD120N03AT, TTP120N03AT, TTD120N04AT, TTP120N04AT, TTD135N68A, TTD160N03GT, TTP160N03GT, AON7506, TTP18P10AT, TTD20N04AT, TTD30P03AT, TTD35N02AV, TTD40P03AT, TTD50P04AT, TTD60N03QT, TTD65N04AT