TTD20N04AT Todos los transistores

 

TTD20N04AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TTD20N04AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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TTD20N04AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:729K  cn wuxi unigroup
 ttd20n04at.pdf pdf_icon

TTD20N04AT

TTD20N04AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 40V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 40V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 20A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Otros transistores... TTP120N03AT , TTD120N04AT , TTP120N04AT , TTD135N68A , TTD160N03GT , TTP160N03GT , TTD18P10AT , TTP18P10AT , IRF1407 , TTD30P03AT , TTD35N02AV , TTD40P03AT , TTD50P04AT , TTD60N03QT , TTD65N04AT , TTD70N04AT , TTP70N04AT .

History: 7N60L-A-TA3 | AONS66612T | IPS060N03L | CS8N65P | 2SK3528-01R | APM4953K | NCE1490

 

 
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