TTD20N04AT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TTD20N04AT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для TTD20N04AT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTD20N04AT даташит

 ..1. Size:729K  cn wuxi unigroup
 ttd20n04at.pdf pdf_icon

TTD20N04AT

TTD20N04AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 40V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 40V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 20A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Другие IGBT... TTP120N03AT, TTD120N04AT, TTP120N04AT, TTD135N68A, TTD160N03GT, TTP160N03GT, TTD18P10AT, TTP18P10AT, IRFP450, TTD30P03AT, TTD35N02AV, TTD40P03AT, TTD50P04AT, TTD60N03QT, TTD65N04AT, TTD70N04AT, TTP70N04AT