Справочник MOSFET. TTD20N04AT

 

TTD20N04AT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TTD20N04AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28.8 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 16.7 nC
   Время нарастания (tr): 3.6 ns
   Выходная емкость (Cd): 70 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для TTD20N04AT

 

 

TTD20N04AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:729K  cn wuxi unigroup
 ttd20n04at.pdf

TTD20N04AT TTD20N04AT

TTD20N04AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 40V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 40V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 20A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top