TTD35N02AV Todos los transistores

 

TTD35N02AV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TTD35N02AV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 183 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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TTD35N02AV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:689K  cn wuxi unigroup
 ttd35n02av.pdf pdf_icon

TTD35N02AV

TTD35N02AV Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 20V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 20V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 35A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Otros transistores... TTP120N04AT , TTD135N68A , TTD160N03GT , TTP160N03GT , TTD18P10AT , TTP18P10AT , TTD20N04AT , TTD30P03AT , IRFP450 , TTD40P03AT , TTD50P04AT , TTD60N03QT , TTD65N04AT , TTD70N04AT , TTP70N04AT , TTD85N03AT , TTD90N03AT .

History: NCE6058K | IXTV26N50PS | IXTU1N80P | IXTT72N20 | IXTV30N50P | IXTU12N06T | IXTV30N60P

 

 
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