TTD35N02AV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TTD35N02AV

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 183 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO252

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TTD35N02AV datasheet

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TTD35N02AV

TTD35N02AV Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 20V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 20V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 35A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Otros transistores... TTP120N04AT, TTD135N68A, TTD160N03GT, TTP160N03GT, TTD18P10AT, TTP18P10AT, TTD20N04AT, TTD30P03AT, AO4407, TTD40P03AT, TTD50P04AT, TTD60N03QT, TTD65N04AT, TTD70N04AT, TTP70N04AT, TTD85N03AT, TTD90N03AT